Hynix/海力士

海力士发展过程

2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。

2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。

2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。

2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社

04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证

02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM

01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。

2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM

11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工

世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM

为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大

05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案

04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2

02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程序上进行合作的合同

2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证

2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes)

11月WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM

10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同

09月以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP

08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM

07月发表企业中长期总体规划

05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证

04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率

03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同

与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长

01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模块

2006年创下最高业绩及利润

2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络

09月300mm研究生产线下线

03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证

01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)

2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM

11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM

07月 提前从企业重组完善协议中抽身而出

04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼

03月 发布2004年财务报表，实现高销售利润

01月 与中国台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议

2004年11月 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议

08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议

07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润

06月 签订非内存事业营业权转让协议

03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证

02月 成功开发NAND闪存

2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU

08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。

07月 宣布在世界上首次发表DDR500

06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证

05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产

04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存

03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM

2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门

10月 开发0.10微米、512MB DDR

08月 在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM

06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户

03月 开发1G DDR DRAM模块

2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

08月 完成与现代集团的最终分离

07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’

05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’

剥离网络业务‘Hyundai Networks’

03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司”

2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’

04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’

1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社

03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）

1998年09月 开发64M的DDR SDRAM

1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM

1996年12月 公司股票上市

1989年11月 完成FAB III

09月 开发4M的DRAM

1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE）

01月 开发1M的DRAM

1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”

04月 设立半导体研究院

1985年10月 开始批量生产256K的DRAM

1984年09月 完成FAB II-A

1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志

2021年11月3日，韩国先驱报报道，业内人士周三表示，韩国前两大芯片制造商三星电子SK海力士预计将在11月8日最后期限前向美国政府提交其芯片业务信息 。

2021年11月9日，韩联社发布消息，SK海力士向美国提交有关其芯片业务的信息，但隐瞒了一些被视为商业机密的关键数据。

SK海力士宣布，已于2021年12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。

2022年1月24日，彭博援引韩国经济日报称，投行业内消息人士表示，芯片设计公司SiFive将进行2000亿韩元（1.67亿美元）新一轮融资，SK海力士将投1000亿韩元。

2022年2月，据 SK 海力士官方消息，SK 海力士今日宣布，公司已开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术“PIM（processing-in-memory，内存中处理）”。

2022年5月16日，SK海力士·英特尔DMTM半导体 （大连）有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区开工。

2022年10月23日，SK海力士向光刻机巨头ASML订购了下一代半导体设备 High-NA 极紫外光（EUV）曝光设备。韩国半导体制造商也在准备引进能够实现 2nm工艺的设备。

海力士历史沿革

海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。

2012年更名SK hynix。

海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

2019年9月5日，据韩国《中央日报》报道，在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。

2022年8月，媒体报道，海力士计划在美国新建先进芯片封装厂，预计2023年第一季度破土动工。

海力士所获荣誉

2019年10月，2019福布斯全球数字经济100强榜发布，海力士位列第28位。

2020年5月13日，SK海力士名列2020福布斯全球企业2000强榜第296位。

2021年5月，SK海力士位列“2021福布斯全球企业2000强”第173位。

2021年9月23日，SK海力士位列2021年《亚洲品牌500强》排行榜第419位。

2022年2月14日，在韩国人最想入职的企业排行榜中，位列第10。

2022年，2022年《财富》世界500强排行榜排名第373位。